Experimentální GDDR4 moduly s kapacitou 512 Mb, které Samsung vyrábí 80 nanometrovým procesem, však mají jeden háček. K tomu, aby dosáhly frekvence 4 GHz musí být podle zátěže napojeny k napětí 1,4 V až 2,1 V, tvrdí webová stránka PC Watch.

Současná generace GDDR4 čipů od Samsungu pracuje s napětím nižším - jedná se o 1,9 V.

S GDDR4 kamarádí pouze Radeon X1950 XTX

Paměťové moduly standardu GDDR4 používá dnes jediná grafická karta ATI Radeon X1950 XTX. Pokud by pracoval s 4 GHZ GDDR4, pak by její paměťová propustnost při zachování 256bitové sběrnice byla asi dvojnásobná (128 GB/s) než je nyní.

Pokud bychom uvažovali o budoucích grafikách s 512bitovou sběrnicí, pak by díky modulům Samsungu mohly pracovat s propustností až 256 GB/s. To je přibližně třikrát větší hodnota, než s jakou se dnes chlubí GeForce 8800 GTX (propustnost 86,4 GB/s).

Energetický nedostatek

Kvůli výkonným paměťovým modulům se však grafické karty mění v energetické žrouty, jejichž chlazení je stále náročnější. Například nejnovější GeForce 8800 GTX si při zátěži berou až 280 Wattů a to nepracují s novými GDDR4 od Samsungu.

V příštím roce se měly na trhu objevit grafické karty osazené 2,8 GHz moduly standardu GDDR4. Pokrok v laboratořích Samsungu tuto metu nejspíše pozvedne k 3,2 GHz, v roce 2009 by pak mohly grafiky dostat 3,5 GHz - 4 GHz paměti.