Samsung začal vyrábět nové NAND paměti 51 nanometrovým procesem. Jednotlivé moduly mají kapacitu 16 Gb - předcházela jim generace 60nm 8 Gb NAND modulů.

Vyšší hustota NAND čipů dovolila akcelerovat jejich rychlost čtení k hodnotě 30 MB za sekundu, dříve to bylo 17 MB za vteřinu, uvedla společnost.

Zvýšila se také rychlost zápisu. Nyní se pohybujeme kolem 8 MB za sekundu, zatímco starší flash paměti uměly pouze 4,4 MB/sec.

Firma dodala, že nové NAND flash paměti pracují velice podobným způsobem jako jejich starší generace a není tedy nutné měnit stávající systémová rozhraní používaná v dnes dostupných zařízeních (například kapesních přehrávačích).

NAND flash  Nová paměť (51nm) Současná paměť (60nm)
Rychlost čtení 30MB/s 17MB/s
Rychlost zápisu  8MB/s 4.4MB/s