Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI). Zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem.

Paměťové moduly eDRAM mají být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a budou k dispozici od roku 2008.

Inovovaná technologie eDRAM od IBM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI (Sillicon-on-Insulator), zvyšuje výkon paměti na čipu - "zabírá přitom asi třetinu místa a spotřebuje jednu pětinu energie v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM (static random access memory)," řekli představitelé společnosti na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC). 

"Tímto průlomovým řešením spojovacího článku mezi procesorem a pamětí IBM efektivně zdvojnásobuje výkon mikroprocesorů a překračuje tak veškeré možnosti klasické miniaturizace prvků," uvedl Dr. Subramanian Iyer, ředitel vývoje 45nm technologie ve společnosti IBM. 

Paměti eDRAM se ve světě počítačů prosadí se stejným dopadem jako například materiál high-k, který zlepšuje funkci tranzistoru a dovoluje zvýšit jeho pracovní kmitočet (s high-k pracuje AMD), jako měděné vodiče na čipu či jádra s křemíkem na izolantu a s kombinací křemíku a germania (Si-Ge), doufá IBM.