Článek
Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI). Zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem.
Paměťové moduly eDRAM mají být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a budou k dispozici od roku 2008.
Inovovaná technologie eDRAM od IBM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI (Sillicon-on-Insulator), zvyšuje výkon paměti na čipu - "zabírá přitom asi třetinu místa a spotřebuje jednu pětinu energie v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM (static random access memory)," řekli představitelé společnosti na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC).
"Tímto průlomovým řešením spojovacího článku mezi procesorem a pamětí IBM efektivně zdvojnásobuje výkon mikroprocesorů a překračuje tak veškeré možnosti klasické miniaturizace prvků," uvedl Dr. Subramanian Iyer, ředitel vývoje 45nm technologie ve společnosti IBM.
Specifikace technologie eDRAM
- Velikost buňky: 0,126 mm2
- Napájení: 1 V
- Efektivita výroby: 98,7%
- Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
- Odběr proudu: 76 mW
- Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW
- Doba náhodného cyklu: 2ns
- Latence: 1.5ns
Paměti eDRAM se ve světě počítačů prosadí se stejným dopadem jako například materiál high-k, který zlepšuje funkci tranzistoru a dovoluje zvýšit jeho pracovní kmitočet (s high-k pracuje AMD), jako měděné vodiče na čipu či jádra s křemíkem na izolantu a s kombinací křemíku a germania (Si-Ge), doufá IBM.