Hlavní obsah

Vědci chtějí snížit spotřebu elektroniky a odstranit „žravost“ stand-by režimu

Právo, ťas

Současná elektronická zařízení mají na kontě 15 procent spotřeby elektrické energie v domácnostech. Spotřeba vyvolaná informačními a komunikačními technologiemi spolu se spotřební elektronikou se má do roku 2022 zdvojnásobit a do roku 2030 dokonce ztrojnásobit. Celou desetinu této energie přitom odeberou přístroje „číhající“ na další použití v pohotovostním neboli stand-by režimu. Vyplývá to z údajů International Energy Agency (IEA).

Článek

Do roku 2020 má spotřeba přístrojů v pohotovostním režimu nebo ve vypnutém stavu vzrůst na 49 terawatthodin ročně. To zhruba odpovídá roční spotřebě elektřiny Rakouska, Česka a Portugalska dohromady. Vědcům se to nelíbí a rozhodli se tuto prognózu změnit. Vytkli si za cíl desetinásobně zvýšit energetickou účinnost všech zařízení od mobilních telefonů přes notebooky a televize až po superpočítače za provozu a v podstatě eliminovat jejich spotřebu energie v pohotovostním režimu.

Co je projekt Steeper

K tomuto účelu má posloužit projekt Steeper. Koordinuje jej švýcarská École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Účastní se jej přední podnikové výzkumné organizace jako IBM Research - Curych, Infineon a Global Foundries, velké výzkumné ústavy CEA-LETI a Forschungszentrum Jülich a akademičtí partneři Università di Bologna, Technische Universität Dortmund, Università degli studi di Udine a Università di Pisa.

Dnešní elektronika připomíná kapající kohoutek

Současné spotřebiče fungují zhruba jako vodovodní kohoutek, který kape i při maximálním dotažení. Podobně i z dnešních tranzistorů energie neustále uniká a ztrácí se i v pohotovostním režimu. Vědci doufají, že se jim v rámci projektu Steeper podaří úniky zastavit novou metodou těsnějšího závěru ventilu neboli hradla tranzistoru. Hradlo tranzistoru chtějí také otevírat a zavírat pro maximální průtok proudu na méně otáček, tj. s menším napětím pro maximální účinnost.

Využijí při tom odborné znalosti a výzkum v oblasti tranzistorů typu TFET (tunnel field effect transistor) a nanometrických polovodičů, aby zlepšili využití energie v elektronice.

Reklama

Výběr článků

Načítám