Jak již jsme nastínili v úvodu bude nový 1Gb paměťový modul určen k použití v digitálních fotoaparátech, multimediálních telefonech či kapesních počítačích.

Nové 65nm paměti dovolují vyrábět opět menší telefony než dříve s vyšší kapacitou pro ukládání dat, což jsou klíčové parametry, které zajímají naše zákazníky, uvedl Darin Billerbeck, prezident segmentu flash pamětí firmy Intel.

Pětašedesáti-nanometrové NORy dovolují ukládat data rychlostí až 1 MB za sekundu. Oproti starším flash produktům Intelu tak rychlost zápisu vzrostla přibližně dvojnásobně.

Společnost dodala, že se také zvýší doba výdrže na baterie u produktů, které budou s inovovanými NORy pracovat. Ty totiž fungují pod nižším 1,8 V napětím než minulá generace flash pamětí Intelu a spotřebují tak méně energie. Rovněž se umí automaticky přepnout do tzv. "deep power-down" režimu, tedy do stavu,v němž přijímají velmi málo energie.