Samsung Elektronics ukázal paměťový modul standardu DDR2, který umí společnost vyrábět 50nanometrovým procesem. Oproti podobnému avšak 60nm kousku, je novinka s kapacitou 1Gb o 50 procent menší.

Klíčovým prvkem 50nm výrobního procesu, který zvyšuje efektivitu výroby, je použití speciálních 3D tranzistorů. Jednotkami mohou elektrony procházet snadněji než je obvyklé u klasických tranzistorů, tím dochází k velkým energetickým úsporám, uvedli zástupci Samsungu.

Technologie, díky níž by byla firma schopna vyrábět 50nm součástky, se však uplatní až za dva roky. Samsung totiž stále nemá proces dobře odladěn, výrobu 50nm součástek provází potíže.

Jihokorejský Samsung nyní produkuje paměťové moduly standardu DDR2 80nanometrovým procesem.