Zástupci Samsungu uvedli, že výroba takzvaných PRAM paměťových modulů (Phase-change Random Access Memory) je jednak levnější než v případě současných NOR jednotek. PRAM má navíc poskytovat i vyšší výkon než NOR ekvivalent.

Společnost již demonstrovala funkční 512Mb prototyp. Plná výroba pamětí nové generace však nebude spuštěna dříve než v roce 2008, tedy za 1,5 až 2 roky.

Jednou z obrovských výhod PRAM modulů je fakt, že při přepisu jednotlivých buněk daty není nutné mazat dříve uložené soubory. Díky tomu jsou PRAMy asi 30x rychlejší než NOR moduly, dodal Samsung s tím, že byla rovněž prodloužena životnost novinky, a to zhruba desetinásobně ve srovnání s NOR flash pamětí.

Firma si také pochvaluje, že výrobou PRAM jednotek ušetří i na materiálu - při stejně kapacitě je totiž buňka PRAM o polovinu menší než NOR.

Podle analytické společnosti iSuppli jsou v současnosti v 92,8 procentech mobilních telefonů, které pracují s vestavěnou flash pamětí, použity NOR moduly.