Podle vědců společnosti Intel a QinetiQ, kteří stojí za vývojem nového tranzistoru, je prototyp mnohem rychlejší a potřebuje méně energie, než dříve vyvinuté polovodičové prvky na bázi křemíku. Kombinací křemíku a nového materiálu se opět podaří prodloužit platnost Moorova zákona, věří Intel.  

Významné úspory energie na úrovni tranzistorů, doplněné nárůstem výkonu mohou hrát klíčovou roli ve vývoji nových počítačových platforem, které uživatelům přinesou širší možnosti a pokročilejší funkce, tedy například dovolí vyrábět ještě menší a výkonnější zařízení.

"Výstupy výzkumných aktivit podporují naše přesvědčení, že se podaří postupovat podle Moorova zákona i po roce 2015," uvedl Ken David, ředitel vývoje komponent společnosti Intel.

Sloučenina InSb není žádnou novinkou

Materiál InSb patří k polovodičovým sloučeninám třídy III-V, které se v současnosti používají u speciálních integrovaných obvodů, jako jsou zesilovače radiových vln, mikrovlnná zařízení a polovodičové lasery.

Tranzistory s InSb kanály nejsou žádnou novinkou a výzkumná oddělení Intelu a QinetiQ je představila již před několika lety. Ve srovnání s nimi jsou však současné prototypy s hradlem o délce 85 nm o více než polovinu menší, a stávají se tak zcela nejmenšími tranzistory tohoto typu.

Nové tranzistory byly v závěru minulého týdne také vůbec poprvé představeny v provozu. Tyto polovodičové prvky pracují s napětím kolem 0,5 voltu - tedy zhruba s polovinou toho, co vyžadují tranzistory v dnešních čipech. Podle Intelu se ve srovnání s klasickými křemíkovými polovodiči vykazují až o 50% vyšším výkonem a údajně až o 10x nižší spotřebou.