Vyvinutý paměťový modul je typu OneNAND [tisková zpráva] - očekává se, že bude především použit v malých 3G mobilních telefonech, pokročilých PDA zařízení, další generaci herních přenosných systémů nebo digitálních videokamerách a fotoaparátech.

OneNAND paměťový čip pracuje s napětím 1,8V - výrobce tak dosáhl markantního snížení pracovního napětí, které dříve u jiných typů modulů činilo 3,3V. Rozměry OneNAND zařízení se udávají na 11x13x1,4mm - čímž bude patřit mezi vůbec nejmenší pamětové moduly s takto velkou kapacitou.

4Gb OneNAND produkt dokáže číst data s rychlostí 108 MByte/s (zhruba čtyřikrát rychleji než standardní NAND flash paměť). Rychlost zápisu dosahuje 10 MByte/s.

Samsung chce produkty s užitím OneNAND flash pamětí vyrábět v kapacitách od 128Mb po 4Gb. Masová produkce 4Gb OneNAND zařízení začne v červenci 2005.

Podle studie společnosti iSuppli zaměřené na průzkum trhu, se po flash pamětech, které nabízejí kapacitu v řádech Gb dat, očekává velká poptávka. V období 2008 má totiž počet za rok prodaných mobilních telefonů činit zhruba 240 miliónů kusů, což oproti roku 2004 znamená vzrůst o 87 procent.