XDR DRAM paměťové moduly jsou založeny na technologii společnosti Rambus a v jednom taktu dokáží přenést osm datových proudů - typ ODR (octal data rate).

Pracovní napětí pro dosažení kmitočtu 4,8GHz se udává na 1,8V, při zvýšení voltáže mohou moduly dosahovat rychlosti až 6,4GHz. Přenosová rychlost čipů se udává na 12,8GB za sekundu.   

Masová produkce 512MB XDR DRAM modulů druhé generace dle vyjádření společnosti Toshiba [tisková zpráva] začne ve druhé polovině roku 2005. 

"Jako první na světě jsme v prosinci 2003 vyrobili vzorky první generace XDR DRAM. Masovou produkcí druhé generace XDR DRAM ve druhé polovině roku 2005 si zabezpečíme vedoucí úlohu na trhu," uvedl Shozo Saito, viceprezident společnosti Toshiba.

XDR technologii vyvinutou společností Rambus rovněž licencovaly firmy Samsung a Elpida. Obě jmenované plánují uvést tyto čipy (tj. 512MB moduly XDR DRAM) na trh ve druhé polovině roku 2005 - tedy ve stejném období jako Toshiba.

"Ano, dnes se zdá, že Toshiba je první a že je nejrychlejší," uvedl Kim Soo-Kyoum, z analytické společnosti IDC zabývající se průzkumem trhu s polovodiči. "Avšak Samsung i Elpida uvedou XDR DRAM druhé generace ve stejném čase jako ona."

XDR DRAM najdou zpočátku uplatnění ve vysoce výkonných pracovních stanicích, grafických kartách nebo spotřební elektronice jako jsou například špičkové digitální televize. Prorůstání XDR DRAM modulů do počítačové sféry však začne až v roce 2007.