Článek
Paměti se budou vyrábět ve společném podniku obou firem IM Flash Technologies (IMFT).
Paměti se budou vyrábět ve společném podniku obou firem IM Flash Technologies (IMFT).
Paměti se budou vyrábět ve společném podniku obou firem IM Flash Technologies (IMFT). Nová technologie NAND flash je pětkrát rychlejší než konvenční NAND a umožňuje přenos dat ve zlomku času oproti ostatním technologiím. Novou technologii lze využít při výpočetních operacích, zpracovávání videa či fotografií, i dalších aplikacích.
Paměti se budou vyrábět ve společném podniku obou firem IM Flash Technologies (IMFT). Nová technologie NAND flash je pětkrát rychlejší než konvenční NAND a umožňuje přenos dat ve zlomku času oproti ostatním technologiím. Novou technologii lze využít při výpočetních operacích, zpracovávání videa či fotografií, i dalších aplikacích.
Paměti se budou vyrábět ve společném podniku obou firem IM Flash Technologies (IMFT). Nová technologie NAND flash je pětkrát rychlejší než konvenční NAND a umožňuje přenos dat ve zlomku času oproti ostatním technologiím. Novou technologii lze využít při výpočetních operacích, zpracovávání videa či fotografií, i dalších aplikacích."Vysokorychlostní technologie NAND může dosáhnout rychlosti až 200 MB/s pro čtení dat a 100 MB/s pro jejich zápis," uvedli zástupci obou společností. Takových rychlostí lze dosáhnout díky využití nové specifikace ONFI 2.0 a takzvané “four-plane” architektury, která běží na rychlejších taktovacích frekvencích.
Paměti se budou vyrábět ve společném podniku obou firem IM Flash Technologies (IMFT). Nová technologie NAND flash je pětkrát rychlejší než konvenční NAND a umožňuje přenos dat ve zlomku času oproti ostatním technologiím. Novou technologii lze využít při výpočetních operacích, zpracovávání videa či fotografií, i dalších aplikacích."Vysokorychlostní technologie NAND může dosáhnout rychlosti až 200 MB/s pro čtení dat a 100 MB/s pro jejich zápis," uvedli zástupci obou společností. Takových rychlostí lze dosáhnout díky využití nové specifikace ONFI 2.0 a takzvané “four-plane” architektury, která běží na rychlejších taktovacích frekvencích.
Pro srovnání, konvenční buňka NAND první úrovně dosahuje limitu 40 MB/s pro čtení dat a pro zápis dat méně než 20 MB/s.